Propriétés physiques et électroniques de semi- Conducteur à grand Gap : Carbure de Silicium

Abstract

La simulation est aujourd'hui un des outils, les plus utilisés pour l'étude du fonctionnement physique des composants électroniques. La simulation nécessite une bonne connaissance des caractéristiques du matériau étudié. En particulier les caractéristiques de la bande de conduction jouent un rôle prépondérant dans l'étude des phénomènes de transport. La présente étude a pour but d'étudier les potentialités du matériau Carbure de Silicium en particulier 4H-SIC, 6H-SIC et 3C-SIC. On détermine leurs bandes interdites, vitesses de dérive et la mobilité des porteurs. Pour cela, nous utiliserons la modélisation décrite dans ce mémoire. Au cours de cette étude, nous serons amenés à mettre en évidence l'influence de la température et de la présence d'impuretés au sein du réseau cristallin sur la caractéristique du transport électronique des matériaux. Les résultats obtenus sont satisfaisants après leurs comparaisons avec d’autres résultats expérimentaux existant dans la littérature. Simulation is now one of the most widely used tools for studying the physical functioning of electronic components. The simulation requires a good knowledge of the characteristics of the material studied. In particular, the characteristics of the conduction band play a preponderant role in the study of transport phenomena. The purpose of this study is to study the potentialities of Silicon carbide material, in particular 4H-SIC, 6H-SIC and 3C-SIC. Their forbidden bands, drift velocities and carrier mobility are determined. To do this, we will use the modeling described in this paper. During this study, we will be able to show the influence of temperature and the presence of impurities within the crystal lattice on the characteristic of the electronic transport of materials. The results obtained are satisfactory after their comparison with other experimental results existing in the literature